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Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Especificaciónes máximas
Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 68 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Características eléctricas
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de elevación (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.
Horarios de Atención: Lunes a Viernes 9:00 a 18:00 Horas Sabados 9:00 a 13:00 Horas
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